| 研究概要 |
本研究の目的は, 近紫外領域における光デバイスへの応用が期待されているワイドギャップ半導体のZnO薄膜における, 電子・正孔プラズマ発光におけるフォノンサイドバンド発光を利用した誘導放出過程の存在を光学利得スペクトルより明らかにすることである. 平成20年度の研究においては, 主に, 光カーゲート法を用いた時間分解発光スペクトル測定系の構築, およびZnO薄膜における電子・正孔プラズマ発光におけるフォノンサイドバンドの時間分解測定を行った.
時間分解発光スペクトル測定系の構築においては, カー媒質の最適化を行い, 近紫外領域においても十分にS/N比の高い測定系の構築に成功した. その測定系を用いることによって, ZnO薄膜における電子・正孔プラズマ発光におけるフォノンサイドバンドの時間発展の様子を明確に測定することに成功した. その結果より, 光励起直後の光生成キャリア数の時間変化の様子を求めることができるようになり, 今後, 光励起直後の非平衡状態における電子系と格子系の相互作用を明らかにすることおよび, 光生成キャリアが引き起こすバンドギャップ再構成の時間発展の様子を解析的に求めていくことが可能になると考えていえる. 現在, 次年度に予定している過渡吸収測定系の構築を行っており, その結果をあわせることになって, さらなる発展の可能性が広がっていくと考えている.
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