2009 年度研究成果報告書

次世代半導体プラズマエッチングプロセスのための遷移金属炭化反応の解明と制御

研究課題

研究課題/領域番号	20760023
研究種目	若手研究(B)
配分区分	補助金
研究分野	薄膜・表面界面物性
研究機関	京都工芸繊維大学
研究代表者	高橋和生京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 准教授 (50335189)
研究期間 (年度)	2008 – 2009
キーワード	プラズマプロセス / プラズマ加工 / エッチング / ナノデバイス
研究概要	次世代超大規模集積回路(ULSI)におけるゲート絶縁膜材料として注目されている酸化ハフニウム(HfO_2)に注目し、ゲート幅が数十ナノメートルのMOSFETを形成するためのプラズマエッチング技術の確立を目指した。CF_4/ArプラズマにCOもしくはH_2を添加すると、気相中は炭素が豊富な状態となりSiおよびSiO_2のエッチレートは減少するのに対して、HfO_2のエッチレートは増加した。これはHfの炭化物を生成物としてHfO_2がエッチングされている結果であると解釈できる。