高エネルギー重イオンが誘起するシングルイベント過渡電流の高位置分解能マッピング

2010 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 20760051
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 応用物理学一般
• 研究機関: 独立行政法人日本原子力研究開発機構
• 研究代表者: 小野田 忍 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究員 (30414569)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2010
• キーワード: シングルイベント過渡電流 / トランジスタ / マッピング / 放射線

研究概要

単一イオンが炭化ケイ素トランジスタに入射した時に発生する雑音電流(過渡電流)のマッピングを従来手法を用いて測定し、過渡電流の発生機構をデバイスシミュレータを用いて解明した。一方、過渡電流のマッピングを簡便に取得する新技術開発を行った。ZnS発光体を使用し、数十μmの位置分解能ではあるが、マッピングの取得に成功した。ZnSに代わる発光体としてYAG:Ceやダイヤモンドを利用すれば、位置分解能が10倍程度高くできることが分かった。

研究成果

• [雑誌論文] Charge Enhancement Effects in 6H-SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion Strike (2010)
  • 著者名/発表者名: 小野田忍、牧野高紘、岩本直也、Gyorgy Vizkelethy、児島一聡、野崎眞次、大島武
  • 雑誌名: IEEE Transactions on Nuclear Science 57巻 ページ: 3373-3379
  • 査読あり
• [雑誌論文] Enhanced Charge Collection in Drain Contact of 6H-SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion Microbeam (2010)
  • 著者名/発表者名: 小野田忍、Gyorgy Vizkelethy、牧野高紘、岩本直也、児島一聡、野崎眞次、大島武
  • 雑誌名: Proc.of 9th RASEDA ページ: 230-233
• [雑誌論文] Transient Response of Charge Collection by Single Ion Strike in 4H-SiC MESFETs (2009)
  • 著者名/発表者名: 小野田忍、岩本直也、小野修一、片上崇治、新井学、河野勝泰、大島武
  • 雑誌名: IEEE Transactions on Nuclear Science 56巻 ページ: 3218-3222
  • 査読あり
• [学会発表] 重イオンビームを用いたシングルイベント効果の評価技術 (2010)
  • 著者名/発表者名: 小野田忍
  • 学会等名: 第2回半導体材料・デバイスフォーラム
  • 発表場所: 熊本県・熊本市・アークホテル熊本
  • 年月日: 20101211-20101212
• [学会発表] Enhanced Charge Collection in Drain Contact of 6H-SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion Microbeam (2010)
  • 著者名/発表者名: 小野田忍
  • 学会等名: 9th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application
  • 発表場所: 群馬県・高崎市・高崎シティギャラリー
  • 年月日: 20101027-20101029
• [学会発表] 単一の重イオンが6H-SiC MOSFETのドレイン誘起する過渡電流 (2010)
  • 著者名/発表者名: 小野田忍
  • 学会等名: シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
  • 発表場所: 茨城県・つくば市・つくば国際会議場
  • 年月日: 20101021-20101022
• [学会発表] 単一イオンが半導体に誘起する電荷のマッピング技術の検討 (2010)
  • 著者名/発表者名: 小野田忍
  • 学会等名: 第5回高崎量子応用研究シンポジウム
  • 発表場所: 群馬県・高崎市・高崎シティギャラリー
  • 年月日: 20101014-20101015
• [学会発表] Charge Enhancement Effects in 6H-SiC MOSFETs Induced by Heavy Ion Strike (2010)
  • 著者名/発表者名: 小野田忍
  • 学会等名: IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC)
  • 発表場所: アメリカ・デンバー・シェラトン
  • 年月日: 20100719-20100723
• [学会発表] 単一イオンが半導体に誘起する過渡電流の計測システムの開発 (2010)
  • 著者名/発表者名: 小野田忍
  • 学会等名: 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川県・平塚市・東海大学
  • 年月日: 20100317-20100320
• [学会発表] 単一の重イオンが6H-SiC MOSFETに誘起する過渡電流の位置依存性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 小野田忍
  • 学会等名: シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会
  • 発表場所: 兵庫県・神戸市・神戸国際会議場
  • 年月日: 20091217-20091218
• [学会発表] Transient Response of Charge Collection by Single Ion Strike in 4H-SiC MESFETs (2009)
  • 著者名/発表者名: 小野田忍
  • 学会等名: IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference
  • 発表場所: カナダ・ケベック・ヒルトン
  • 年月日: 20090720-20090724