| 研究概要 |
シリコンカーバイド(SiC)は,シリコン(Si)と比べ,バンドギャップが約3倍,絶縁破壊電界が約7倍であることなどから,電力利用の効率化を担うパワーデバイス用材料として有望視されている.しかしながら,SiCはダイヤモンドに次ぐ高硬度,かつ化学的に安定な材料であるため,加工することが非常に難しく,有効な加工方法の開発が求められている.本研究では,単結晶SiC基板全面(2インチ)を高能率に原子レベルで平坦化できる加工技術を開発することを目的としている.具体的には,酸化剤溶媒中において遷移金属微粒子(鉄微粒子)を用いた化学的加工法の開発を行う.本年度は,以下の項目を実施した.1, 昨年度設計・試作した2インチSiC基板平坦化加工装置を用いて,4H-SiC(000-1) on axis基板全面加工を試み,基板全面を平坦化することに成功するとともに,基板平坦度・平滑度を大幅に改善することができた.2, 過酸化水素水をベースにした溶液環境下において,任意荷重を付加した鉄製工具をSiC表面上で接触させ,両表面間を相対的に運動させることによって,SiC基板の任意領域を加工できる可能性を検討し,任意領域(500μm×500μm)の表面凹凸を改善できることを確認した.3, 紫外光を利用したSiC基板の加工法を提案し,その基礎加工特性を調べた.各種環境下(大気中,水中,過酸化水素水中)におけるSiCの加工能率および加工時間と除去量との関係を明らかにした.
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