研究課題
若手研究(B)
シリコンベースのオプトエレクトロニクス材料の開発を目的に、希土類添加シリサイド半導体を作製し、その光学特性を評価した。Si基板上にエピタキシャル成長させたシリサイド半導体β-FeSi_2中に、イオン注入法を用いて希土類元素であるEr^<3+>を添加した。その結果、光通信波長である1.5μmにおいて、Er^<3+>の4f準位間遷移に起因した発光を得ることに成功し、シリコンベースの発光材料として機能することを明らかにした。
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