研究課題
若手研究(B)
ZnTe系材料を用いた純緑色発光デバイスの高効率化を目的に、Zn1-xMgxTe/ZnTe量子井戸構造を有するLEDの実現に必要な基盤技術の開発を行った。その結果、分子線エピタキシャル成長法による高品質な量子井戸構造の成長条件を明らかにできた。また有機金属気相成長によるヘテロエピタキシャル膜にて高いキャリア濃度を実現するなど重要な基盤技術を開発できた。
すべて 2009 2008 その他
すべて 雑誌論文 (7件) (うち査読あり 7件) 学会発表 (20件) 図書 (3件) 備考 (1件)
Applied Physics Express 2
ページ: 122101,3
Journal of Materials Science: Materials in Electronics Vol.20
ページ: S505-S509
Japanese Journal of Applied Physics Vol.48
ページ: 022203,5
ページ: S264-S267
Journal of Crystal Growth Vol.311
ページ: 970-973
Japanese Journal of Applied Physics 48
ページ: 080208,3
Japanese Journal of Applied Physics Vol.47
ページ: 8408-8410
http://www.sc.ec.saga-u.ac.jp/