| 研究概要 |
フラーレンC_<60>のMBE法によるエピタキシャル成長およびC_<60>を添加したGaAs、AlGaAsの物性について研究を進めた。C_<60>と基板結晶の格子不整合は大きいが,得られた結晶は極めて良く、C_<60>/GaAsヘテロ界面のRHEED振動観察によって、C_<60>成長初期層が基板表面再構成とC_<60>分子の立体構造で決まることを発見した。低温MEE法を用いてC_<60>-doped GaAsを作製した。C_<60>分子は分解されずに添加され,深い電子トラップとして機能することがわかった。この電子トラップは電界を印加すると電子を放出し,AlGaAs中でも同様に機能することがわかった。
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