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本研究では、(1)半導体を用いた圧力波センサの開発、(2)現有する帯電計測装置を用いて放射線を照射した宇宙機材料の帯電計測を実施。これは開発した半導体圧力波センサの構成データとして使用、の2点を実施した。
(1) PNジャンクション型とMOS型半導体センサの試作を行った。入力圧力波に応じた出力が確認された。パルス状の高帯域パルス圧力波の検出を半導体素子で行えたのは世界初の成果である。
(2) 電子・プロトン照射下における宇宙機材料宙機絶縁材料の帯電計測を実施し、材料内の帯電挙動の取得を行った。特にプロトン照射中の帯電計測における各種条件下でのデータの取得を実施できるのは世界でも申請者だけある。
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