• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2009 年度 研究成果報告書

3次元アトムプローブ法によるHigh-kゲート絶縁膜構造および界面解析

研究課題

  • PDF
研究課題/領域番号 20760212
研究種目

若手研究(B)

配分区分補助金
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関京都大学

研究代表者

井上 耕治  京都大学, 工学研究科, 講師 (50344718)

研究期間 (年度) 2008 – 2009
キーワードアトムプローブ / MOSFET / High-k / ドーパント / 微細化
研究概要

レーザー3次元アトムプローブを用いて、MOS構造におけるドーパントの3次元空間分布やhigh-kゲート酸化膜構造について調べた。MOS構造やhigh-kゲート酸化膜構造の3次元アトムマップを得ることができた。ドーパントの種類による違い(ドーパントの偏析の有無やゲート酸化膜への侵入の有無)について明らかにした。high-kゲート酸化膜構造については傾斜構造を得ることができたが、今後詳細について検討していく。

  • 研究成果

    (14件)

すべて 2010 2009 2008

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (11件)

  • [雑誌論文] Dopant distributions in n-MOSFET structure observed by atom probe tomography2009

    • 著者名/発表者名
      K. Inoue, F. Yano, A. Nishida, H. Takamizawa, T. Tsunomura, Y. Nagai, M. Hasegawa
    • 雑誌名

      Ultramicroscopy 109

      ページ: 1479-1484

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Dopant distribution in gate electrode of n- and p-type metal-oxide-semiconductor field effect transistor by laser-assisted atom probe2009

    • 著者名/発表者名
      K. Inoue, F. Yano, A. Nishida, H. Takamizawa, T. Tsunomura, Y. Nagai, M. Hasegawa
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 95

      ページ: 043502-1~3

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Three dimensional characterization of dopant distribution in polycrystalline silicon by atom probe microscopy2008

    • 著者名/発表者名
      K. Inoue, F. Yano, A. Nishida, T. Tsunomura, T. Toyama, Y. Nagai, M. Hasegawa
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 93

      ページ: 133507-1~3

    • 査読あり
  • [学会発表] レーザー3次元アトムプローブによるmos構造中ドーパントの不均一分布の解明2010

    • 著者名/発表者名
      井上耕治
    • 学会等名
      日本物理学会第65回年次大会
    • 発表場所
      岡山大学
    • 年月日
      2010-03-20
  • [学会発表] レーザー3次元アトムプローブによるゲートパターンを有するMOS構造のドーパント分布解析2010

    • 著者名/発表者名
      高見澤悠、井上耕治、矢野史子、角村貴昭、西田彰男、外山健、永井康介、長谷川雅幸
    • 学会等名
      2010年春季第57回応用物理学会関連連合講演会
    • 発表場所
      東海大学
    • 年月日
      2010-03-20
  • [学会発表] 3次元アトムプローブによるMOSトランジスタ中のドーパント分布解析2010

    • 著者名/発表者名
      井上耕治
    • 学会等名
      応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会
    • 発表場所
      学習院大学
    • 年月日
      2010-03-12
  • [学会発表] 長谷川雅幸3次元アトムプローブによるMOSトランジスタ中のドーパント分布解析2009

    • 著者名/発表者名
      高見澤悠、井上耕治、矢野史子、西田彰男、永井康介
    • 学会等名
      第29回LSIテスティングシンポジウム
    • 発表場所
      千里ライフサイエンスセンター
    • 年月日
      2009-11-13
  • [学会発表] 3次元アトムプローブによるMOSFET中のドーパント分布解析2009

    • 著者名/発表者名
      井上耕治
    • 学会等名
      第19回:格子欠陥フォーラム「半導体格子欠陥の最前線」
    • 発表場所
      九州大学応用力学研究所
    • 年月日
      2009-09-24
  • [学会発表] 三次元アトムプローブによる45nmノードデバイスの観察2009

    • 著者名/発表者名
      北本克征、加藤淳、宮城貴大、井上耕治、外山健、永井康介
    • 学会等名
      第70回(2009年秋季)応用物理学会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
  • [学会発表] レーザー3次元アトムプローブによるMOSFET構造チャネル中のドーパント濃度分布解析2009

    • 著者名/発表者名
      高見澤悠、井上耕治、矢野史子、角村貴昭、西田彰男、外山健、永井康介、長谷川雅幸
    • 学会等名
      第70回(2009年秋季)応用物理学会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
  • [学会発表] 3次元アトムプローブによるMOSFET中のドーパント分布解析2009

    • 著者名/発表者名
      井上耕治
    • 学会等名
      電子情報技術産業協会(JEITA)-半導体技術ロードマップ専門委員会(STRJ)-故障解析tf第36回会合
    • 発表場所
      キャンパスプラザ京都
    • 年月日
      2009-06-19
  • [学会発表] レーザ3次元アトムプローブによるMOSFET構造Poly-Siゲート中のドーパント分布解析2009

    • 著者名/発表者名
      井上耕治、矢野史子、西田彰男、高見澤悠、永井康介、長谷川雅幸
    • 学会等名
      2009年春季第56回応用物理学会関連連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-04-02
  • [学会発表] ポリSiゲート中の不純物原子の粒界偏析の3次元観察2008

    • 著者名/発表者名
      井上耕治、矢野史子、西田彰男、外山健、永井康介、長谷川雅幸
    • 学会等名
      日本物理学会2008年秋季大会
    • 発表場所
      岩手大学
    • 年月日
      20080920-20080923
  • [学会発表] 3次元アトムプローブによるn-typeとp-type MOSの不純物原子分布の比較2008

    • 著者名/発表者名
      井上耕治、矢野史子、西田彰男、角村貴昭、外山健、永井康介、長谷川雅幸
    • 学会等名
      2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      20080902-20080905

URL: 

公開日: 2011-06-18   更新日: 2016-04-21  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi