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2008 年度 実績報告書

半導体量子ドット構造の不均一性解明とその制御

研究課題

研究課題/領域番号 20760481
研究機関独立行政法人情報通信研究機構

研究代表者

山本 直克  独立行政法人情報通信研究機構, 新世代ネットワーク研究センター先端ICTデバイスグループ, 主任研究員 (60328523)

キーワード量子ドット / 半導体ナノ構造 / 化合物半導体 / 広帯域発光 / 結晶成長 / 不均一構造
研究概要

量子ドット(Quantum dot:QD)を光源デバイスへ応用するために、その構造不均一性制御が重要となる。構造不均一性は(1)発光波長帯域幅に影響するドットサイズの〜10%程度の揺らぎ、(2)複数ドット凝集による構造不均一が考えられる。(1)の制御は広帯域光源の性能向上に起因するが、(2)の制御はQDデバイスの品質改善のために必要不可欠な技術である。巨大ドット構造制御のために、アンチモン照射技術とサンドイッチ・サブナノセパレータ(Sandwiched Sub-Nano Separator:SSNS)構造をそれぞれ提案・検討した。
GaAs半導体基板上にInAs-QDを作製した。QD形成前後にアンチモン分子を照射することで、GaAs結晶中にアンチモンでコートされたQD構造が形成される。この技術により巨大ドット構造の発生が極端に抑制され、さらにアンチモンコートされたQDの発光強度が数倍増強することが明らかとなった。この巨大ドット形成抑制とQD近傍の欠陥抑制はアンチモン分子のサーファクタント効果に起因すると考えられる。
SSNS構造はナノ構造間に数分子の構造分離層を設けることでナノ構造間の悪い相互作用を抑制する技術である。InGaAs量子井戸中にInAs-QD構造を作成することで、長波長発光(0バンド)が期待される。しかし量子井戸上にQDを形成するときに、巨大な不均一構造形成が発生する。そこで量子井戸とQD間にGaAs数分子層を挟むことを提案した。これは量子井戸の表面状態制御として非常にシンプルである。この方法により、巨大ドット構造が劇的に抑制され、QD密度の大幅な向上(約8x10^10/cm^2)が達成された。
本研究ではQD光デバイス性能劣化に影響する巨大構造不均一に注目し、その抑制新技術を提案した。結果、巨大構造不均一の抑制とそれにともなうQDの発光特性改善が達成された。

  • 研究成果

    (2件)

すべて 2008

すべて 学会発表 (2件)

  • [学会発表] Control of density and emission wavelength of III-V semiconductor quantum dots2008

    • 著者名/発表者名
      山本直克
    • 学会等名
      Australia Japan Nanophotonics workshop
    • 発表場所
      キャンベラ・オーストラリア
    • 年月日
      2008-12-10
  • [学会発表] O-band InAs quantum dot (QD) laser diode with Sb-molecule sprayed Dot-in-Well (DWELL) structures fabricated on GaAs substrates2008

    • 著者名/発表者名
      山本直克
    • 学会等名
      Opto-Electronics and Communications Conference (OECC 2008)
    • 発表場所
      シドニー・オーストラリア
    • 年月日
      2008-07-08

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公開日: 2010-06-11   更新日: 2016-04-21  

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