DNAシーケンサ用新規シリコンナノポア形成法の開発

2010 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 20760495
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 材料加工・処理
• 研究機関: 九州大学
• 研究代表者: 生駒 嘉史 九州大学, 大学院・工学研究院, 助教 (90315119)
• 研究期間 (年度): 2008 – 2010
• キーワード: ナノポア / ナノプロセス / 化学気相堆積法 / シリコン / シリコンカーバイド

研究概要

ナノメートルサイズの微細孔(ナノポア)は、近年高性能DNAシーケンサ開発の際に重要な要素として注目されている。本研究では、新規ナノポア形成法を開発することを目的として、化学気相堆積法によりシリコン基板上へシリコンカーバイド薄膜を形成する際に導入される、{111}ファセットのピット形成に着目した。SOI基板裏面に異方性ウェットエッチングを施すことにより、基板の一部を薄膜化した表面にピットを導入することで、数10ナノメートルのナノポアが形成可能であることがわかった。

研究成果

• [雑誌論文] Position-controlled formation of Si nanopores by chemical vapor deposition of SiC/SOI(100) (2010)
  • 著者名/発表者名: Yoshifumi Ikoma, Hafizal Yahaya, Hirofumi Sakita, Yuta Nishino, Teruaki Motooka
  • 雑誌名: Proc.SPIE 7995 79951Y
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of nanopores utilizing SiC/Si(001) heteroepitaxial growth on SOI substrates : nanopore density control (2010)
  • 著者名/発表者名: Hafizal Yahaya, Yoshifumi Ikoma, Keiji Kuriyama, Teruaki Motooka
  • 雑誌名: Proc.SPIE 7995 799520
  • 査読あり
• [学会発表] Microscopic observation of Nanopores formed in SIMOX(100)utilizing methylsilane pulse jet CVD (2011)
  • 著者名/発表者名: Hafizal Yahaya, Yoshifumi Ikoma, Teruaki Motooka
  • 学会等名: International colloquium on "Recent progress in nanofabrications of MEMS and NEMS : Science and innovation technologies
  • 発表場所: 博多都ホテル
  • 年月日: 2011-03-23
• [学会発表] Position-controlled formation of Si nanopores by chemical vapor deposition of SiC/SOI(100) (2010)
  • 著者名/発表者名: Yoshifumi Ikoma, Hafizal Yahaya, Hirofumi Sakita, Yuta Nishino, Teruaki Motooka
  • 学会等名: 7th International Conference on Thin Film Physics and Applications (TFPA2010)
  • 発表場所: Tongji University, China
  • 年月日: 2010-09-26
• [学会発表] Fabrication of nanopores utilizing SiC/Si(001) heteroepitaxial growth on SOI substrates : Nanopore density control (2010)
  • 著者名/発表者名: Hafizal Yahaya, Yoshifumi Ikoma, Keiji Kuriyama, Teruaki Motooka
  • 学会等名: 7th International Conference on Thin Film Physics and Applications (TFPA2010)
  • 発表場所: Tongji University, China
  • 年月日: 2010-09-26
• [学会発表] Formation of nanopores utilizing SiC heteroepitaxial growth on SOI (100): Pit faced orientation (2010)
  • 著者名/発表者名: Hafizal Yahaya, 崎田博文, 西野勇太, 生駒嘉史, 本岡輝昭
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] SiC/Si(100)ヘテロエピタキシャル成長を利用した半導体ナノポアの形成 (2010)
  • 著者名/発表者名: 崎田博文, 西野勇太, Hafizal Yahaya, 生駒嘉史, 本岡輝昭
  • 学会等名: 日本金属学会九州支部日本鉄鋼協会九州支部共催平成22年度合同学術講演会
  • 発表場所: 熊本大学
  • 年月日: 2010-06-05
• [学会発表] Nanopore formation on SOI substrates by chemical vapor deposition (2010)
  • 著者名/発表者名: Yoshifumi Ikoma, Hafizal bin Yahaya, Hirofumi Sakita, Yuta Nishino, Teruaki Motooka
  • 学会等名: International colloquium on "Recent progress in nanotechnologies : From nanoindentation on semiconductor materials to DNA and molecular devices
  • 発表場所: 博多都ホテル
  • 年月日: 2010-03-15
• [学会発表] New approach to formation of nanopore on SOI : SiC/Si heteroepitaxial growth by supersonic jet CVD (2009)
  • 著者名/発表者名: Yoshifumi Ikoma, Kenta Ono, Mutsunori Uenuma, Tomohiko Ogata, Teruaki Motooka
  • 学会等名: The 11th International Symposium on Materials Science and Engineering between Chonbuk National University and Kyushu University
  • 発表場所: Chonbuk National University, Korea
  • 年月日: 2009-11-05
• [学会発表] SiC/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長を利用したSOI基板へのナノポア形成(IV) (2009)
  • 著者名/発表者名: 生駒嘉史, 栗山恵司, 崎田博文, ハフィザルビンヤハヤ, 本岡輝昭
  • 学会等名: 2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関連連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学
  • 年月日: 2009-03-31
• [学会発表] SiC/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長を利用したSOI 基板へのナノポア形成(III) (2009)
  • 著者名/発表者名: ハフィザルビンヤハヤ, 栗山恵司, 崎田博文, 生駒嘉史, 本岡輝昭
  • 学会等名: 2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関連連合講演会
  • 発表場所: 筑波大学
  • 年月日: 2009-03-31
• [学会発表] SiC/Si(100)ヘテロエピタキシャル成長を利用したSOI基板へのナノポア形成 (2008)
  • 著者名/発表者名: 栗山恵司, 生駒嘉史, 本岡輝昭
  • 学会等名: 平成20年度応用物理学会九州支部学術講演会
  • 発表場所: 宮崎大学
  • 年月日: 2008-11-29
• [備考] ホームページ等