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平成20年度の目的は以下の通りである。
(1) 本学クリーンルーム内の酸化炉やマスクアライナーなどのTFT作製装置の使用方法の習得。
(2) 三次元基板を用いたTFTメモリに用いるフォトマスクの設計。
(3) TFT作製プロセスの最適化。
(4) 三次元基板を用いたTFTフラッシュメモリのプロトタイプの完成。
研究成果について
(1) 本学のクリーンルーム内にあるTFT作製に必要な装置についての使用方法を習得することができた。また共同研究先のグリーンレーザーの使用方法についても習得できた。
(2) 本研究ではトランジスタのゲート大きさが重要となるため、さまざまな大きさのTFTメモリが作製できるよう工夫し、フォトマスク作製に成功した。
(3) エッチング液の選定、エッチング時間、イオン注入の条件などシミュレーションを含め、プロトタイプ完成に向けて条件を決定することができた。
(4) 入力特性、出力特性などの電気特性評価によりトランジスタ動作を確認し、プロトタイプを完成することができた。
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