2009 年度研究成果報告書

三次元基板を用いた低温ポリシリコンTFTフラッシュメモリの研究

研究課題

研究課題/領域番号	20860086
研究種目	若手研究(スタートアップ)
配分区分	補助金
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	神戸市立工業高等専門学校
研究代表者	市川和典神戸市立工業高等専門学校, 電気工学科, 講師 (90509936)
研究期間 (年度)	2008 – 2009
キーワード	低温poly-Si TFT / フラッシュメモリ / システムオンパネル / レーザー結晶化
研究概要	我々はa-Si/SiO_2/a-Siの積層構造の基板に532nmのグリーンレーザーを照射することで、上層および下層のa-Siを同時に結晶化し、上層をフローティングゲート、下層をチャネル層とした低温poly-Si TFT (LTPS-TFT)フラッシュメモリを作製およびメモリ特性の評価を行った。その結果、チャネル層のSiの結晶性の向上により、ON電流の向上がみられるなどTFTの特性が向上した。また結晶時における融解熱により酸化膜が熱処理されることで、メモリ特性にも大幅な特性向上がみられた。

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