| 研究成果の概要 |
有機金属気相エピタキシャル(OMVPE)法によりEr,O共添加GaAs(GaAs : Er,O)を作製した。Er-2O発光強度の測定温度依存性において、低温域で発現する新奇な発光挙動を観測し、Cの関与したオージェ過程によることを明らかにした。また、エレクトロルミネッセンス(EL)測定において希土類添加半導体を母体として初めて電流注入下でGaAsバンド端レーザ発振を観測し、Er発光との関わりを明らかにした。さらに、980nm近傍に量子準位を有するInGaAs量子井戸をGaAs : Er,O光ガイド層へ埋め込んだ量子井戸レーザを作製し、Er発光強度の増大を観測した。GaAs : Er,Oのテラヘルツ(THz)波デバイスとしての新たな応用可能性についても検討した。
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