研究課題
基盤研究(A)
本研究は、単層カーボンナノチューブ(SWCNT)のヘテロナノチューブへの新たな合成方法(逐次的でなく、連続的)を開発し、合成物質の構造分析(超高分解能透過型電子顕微鏡、超高分解能電子エネルギー損失分光法)及び界面制御を行い、デバイス展開(次世代半導体チャネル、高性能FET)するものである。本研究で取り組む新奇一次元物質は、既存のナノ物質と一線を画す新たな物質群として定義されており、本研究課題の遂行によって、より広い学術、科学技術あるいは社会などへの波及効果が期待できる。また、熱流体分野のもっとも基礎的領域を担う研究であり、当該研究分野のさらなる発展に大きく寄与すると期待される。