真空紫外半導体光物性の学理創成

2020 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 20H00246
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 藤田 静雄 京都大学, 工学研究科, 名誉教授 (20135536)
• 研究分担者: 尾沼 猛儀 工学院大学, 先進工学部, 教授 (10375420) ; 太田 優一 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター, 研究開発本部物理応用技術部電気技術グループ, 副主任研究員 (50707099)
• 研究期間 (年度): 2020-04-01 – 2023-03-31

審査結果の所見の概要

波長200nm以下の真空紫外線を発生できる半導体の研究で、MgZnOと(Al, Ga)203と量子構造を扱う研究。波長180nmに挑戦することを特徴としている。これまでの研究から、バンドギャップに対して発光波長が長いことに着目し、その詳細を明らかにすることで紫外線領域の開拓を進める。
国内外を通じて例のない真空紫外を発生する半導体の研究は、真空紫外発光半導体の光物性を究める必要があり学術的に意義深い。半導体で利用することにより発生紫外波長の制御も期待できる。水銀を使わない安全な紫外線源や、希ガスのいらないエキシマリソグラフィなどへの応用も期待される。