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2022 年度 実績報告書

2次元物質ヘテロ構造の電子・フォノン連成シミュレーション

研究課題

研究課題/領域番号 20H00250
研究機関大阪大学

研究代表者

森 伸也  大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (70239614)

研究期間 (年度) 2020-04-01 – 2025-03-31
キーワード省電力デバイス / トンネルトランジスタ / 熱電変換デバイス / 2次元物質 / 量子輸送シミュレーション / バンド間トンネル / 電子 / フォノン
研究実績の概要

本研究では,2次元物質ヘテロ構造の電子・フォノン連成シミュレータを実現し,デバイス開発の指針を早期に得る環境を構築するこを目的にしている.フォノン輸送シミュレータに関して,本年度は,半導体スラブにおける変調音響フォノンモードに結晶の異方性が与える影響を解析した.電子輸送シミュレーションに関しては,大規模計算に適した等価モデルの改良を行った.
これまで,半導体スラブにおける変調音響フォノン解析は,結晶を等方的な弾性体と近似して,ナビエの式を用いて行われてきた.今年度,結晶の異方性を考慮できえるクリストッフェルの方程式を解き,変調音響フォノンモードを求めた.その結果,結晶の異方性を考慮すると,バルク結晶における縦波・横波の音速が異方性を示すことに対応して,スラブフォノンの分散関係も異方性を示すことがわかった.求めたフォノンモードを用いて,スラブに閉じ込められた2次元電子ガスの変形ポテンシャル散乱確率などを求めた.その結果,結晶の異方性があまり大きくないシリコンのような半導体でも,結晶の異方性が音響フォノン散乱確率に与える影響を無視できないことなどがわかった.
電子輸送シミュレーションに関しては,シミュレータの高速化に向けて,等価モデルの改良を行った.等価モデルの構築は,非物理的状態を除去することにより行える.非物理的状態の除去は,追加の基底ベクトルを導入することにより行う.大規模系(ハミルトニアンサイズが大きい系)において,従来の手法を用いて追加の基底ベクトルの候補を探索した場合,適切な追加基底が見つかる確率が低く,非効率的である.本年度,新たに,効率的な追加基底を探索するアルゴリズムを開発した.さらに,追加基底により非物理的状態が除去されていることを評価するための汎関数の計算手法も改良し,より大規模な系の等価モデルを効率的に構築する環境を整えた.

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

本研究では,2次元物質ヘテロ構造の電子・フォノン連成シミュレータを実現し,デバイス開発の指針を早期に得る環境を構築するこを目的にしている.フォノン輸送シミュレータに関して,本年度は,相互作用モデルの精密化を行った.また,電子輸送プログラムの高速化に向けた高速計算手法を開発した.連成シュミュレーションプログラムの開発は開発途中であり,当初の計画と順番が前後している点を除けば,研究内容的には,概ね計画通りである.

今後の研究の推進方策

今後は,これまで作成してきたプログラムおよび開発してきた高速計算手法を融合して,2次元物質ヘテロ構造トランジスタの性能予測を行う.輸送プログラムとポアソン方程式とを自己無撞着的に解き,トランジスタ特性をシミュレーションすることにより,デバイスの性能予測を行う.種々のチャネル材料・デバイスサイズをデバイスに対してシミュレーションを実行し,オン電流,サブスレッショルド特性など観点から,高性能化に向けた材料選択・デバイス構造最適化の指針を得る

  • 研究成果

    (19件)

すべて 2023 2022

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (16件) (うち国際学会 5件、 招待講演 3件)

  • [雑誌論文] Accuracy of equivalent model in band-to-band tunneling simulation of semiconductor nanowires2023

    • 著者名/発表者名
      Okada Jo、Mori Nobuya、Mil’nikov Gennady
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 62 ページ: SC1063~SC1063

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acb3cf

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Theoretical analysis of tunneling current in 4H-SiC Schottky barrier diodes under reverse-biased conditions based on the complex band structure2023

    • 著者名/発表者名
      Murakami Yutoku、Nagamizo Sachika、Tanaka Hajime、Mori Nobuya
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 62 ページ: SC1042~SC1042

    • DOI

      10.35848/1347-4065/acaed2

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electron and Phonon Transport Simulation for Quantum Hybrid System2022

    • 著者名/発表者名
      Mori Nobuya、Mil’nikov Gennady
    • 雑誌名

      Quantum Hybrid Electronics and Materials (Y. Hirayama, K. Hirakawa, and H. Yamaguchi, editors)

      巻: 1 ページ: 73~98

    • DOI

      10.1007/978-981-19-1201-6_5

  • [学会発表] 異方性を有する自立シリコン板における音響フォノン散乱2023

    • 著者名/発表者名
      森 伸也
    • 学会等名
      応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] 3次元モンテカルロデバイスシミュレーションにおける電界分布数値計算の機械学習による高速化2023

    • 著者名/発表者名
      倉元 俊亮,森 伸
    • 学会等名
      応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] ナノワイヤトランジスタのバンド間トンネルにおける等価モデル2023

    • 著者名/発表者名
      岡田 丈,美里劫 夏南,森 伸也
    • 学会等名
      「富岳」成果創出加速プログラム 研究交流会
  • [学会発表] Modeling of band-to-band tunneling in ultra-thin GaSb and InAs gate-all-around nanowire tunnel FETs2022

    • 著者名/発表者名
      J. Okada, J. Hattori, K. Fukuda, T. Ikegami, and N. Mori
    • 学会等名
      Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems 2022
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical analysis of tunneling effect in 4H-SiC Schottky barrier diodes based on complex band structure2022

    • 著者名/発表者名
      Y. Murakami, S. Nagamizo, H. Tanaka, and N. Mori
    • 学会等名
      Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems 2022
    • 国際学会
  • [学会発表] Accuracy of equivalent model in band-to-band tunneling simulation of semiconductor nanowires2022

    • 著者名/発表者名
      J. Okada, N. Mori, and G. Mil'nikov
    • 学会等名
      2022 International Conference on Solid State Devices and Material
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical analysis of tunneling current in 4H-SiC Schottky barrier diodes under reverse-biased condition based on complex band structure2022

    • 著者名/発表者名
      Y. Murakami, S. Nagamizo, H. Tanaka, and N. Mori
    • 学会等名
      2022 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際学会
  • [学会発表] Atomistic modeling of electronic structure of disordered InP quantum dots2022

    • 著者名/発表者名
      J. H. Lim and N. Mori
    • 学会等名
      2022 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際学会
  • [学会発表] 2次元系におけるフォノン散乱により生じるテール状態の理論解析2022

    • 著者名/発表者名
      田中 一,森 伸也
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会第9回講演会
  • [学会発表] モンテカルロ・シミュレーションにおけるポアソン方程式数値計算の機械学習を用いた高速化2022

    • 著者名/発表者名
      倉元 俊亮,森 伸也
    • 学会等名
      応用物理学会関西支部 75周年記念講演会
  • [学会発表] 省エネ半導体デバイスの先端シミュレーション2022

    • 著者名/発表者名
      森 伸也,美里劫 夏南
    • 学会等名
      「富岳」成果創出加速プログラム「省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション」研究会
  • [学会発表] 半導体デバイスシミュレーション技術の進展2022

    • 著者名/発表者名
      森 伸也
    • 学会等名
      アドバンス・シミュレーション・セミナー
    • 招待講演
  • [学会発表] 乱れたInP量子ドットのエネルギー分布解析2022

    • 著者名/発表者名
      Lim Jin Hyong,森 伸也
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
  • [学会発表] フォノン散乱により生じるテール状態の輸送特性の非平衡グリーン関数解析2022

    • 著者名/発表者名
      田中 一,森 伸也
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
  • [学会発表] 量子輸送デバイスシミュレーションにおける等価モデルの進展2022

    • 著者名/発表者名
      森 伸也、岡田 丈、美里劫 夏南
    • 学会等名
      第236回シリコンテクノロジー分科会研究集
    • 招待講演
  • [学会発表] 量子論に基づくデバイスシミュレータの進展2022

    • 著者名/発表者名
      森 伸也
    • 学会等名
      第35期CAMMフォーラム 本例会
    • 招待講演

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公開日: 2023-12-25  

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