2020 年度審査結果の所見

シリコンカーバイド極限環境エレクトロニクスのIoTプラットフォーム形成

研究課題

研究課題/領域番号	20H00252
研究種目	基盤研究(A)
配分区分	補助金
応募区分	一般
審査区分	中区分21:電気電子工学およびその関連分野
研究機関	広島大学
研究代表者	黒木伸一郎広島大学, ナノデバイス研究所, 教授 (70400281)
研究分担者	田中保宣国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 副研究センター長 (20357453) 児島一聡国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究チーム長 (40371041) 大島武国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所量子機能創製研究センター, センター長 (50354949) 武山昭憲国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所量子機能創製研究センター, 主幹研究員 (50370424) 牧野高紘国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所量子機能創製研究センター, 主幹研究員 (80549668)
研究期間 (年度)	2020-04-01 – 2023-03-31
審査結果の所見の概要	本研究は、高放射線や高温にさらされる極限環境において動作可能な集積回路の構築とその設計指針（パラメータ設計）を与えることを目的としている。シリコンカーバイド（SiC）半導体はバンドギャップが広いという特性と原子間結合が強いという性質から、高放射線・高温などの極限環境でも駆動可能なデバイスとして期待されている。研究成果としては、開発したデバイスが福島第一原発の廃炉作業に用いる計測機器やロボットに組込まれることが期待される。社会的に意義のあるテーマ設定である。廃炉作業のための機器に用いられるだけでなく、幅広い極限環境下で使用可能な電子機器の作製に役立ち、社会での有用性が高いと言える。