異種接合ドーピング法に基づくダイヤモンドのキャリア制御法構築

2020 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 20H00313
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分26:材料工学およびその関連分野
• 研究機関: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 小出 康夫 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 特命研究員 (70195650)
• 研究分担者: 劉 江偉 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主幹研究員 (30732119) ; 廖 梅勇 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主席研究員 (70528950) ; 井村 将隆 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主幹研究員 (80465971)
• 研究期間 (年度): 2020-04-01 – 2024-03-31

審査結果の所見の概要

本課題は、高温・極限環境用の電子デバイスとして期待されているダイヤモンド半導体に関するものであり、ダイヤモンドの欠点である「室温で高キャリア濃度が確保できない」ということを克服するとともに、熱的に安定な電界効果トランジスタの創製を試みようとするものである。
本課題は、ヘテロ（異種）接合窒化アルミニウムからのキャリアドーピングとナノラミネート酸化物薄膜の巨大誘電率効果を利用することに独自性があり、実用的な波及効果も期待できる。