2020 年度審査結果の所見

ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明

研究課題

研究課題/領域番号	20H00340
研究種目	基盤研究(A)
配分区分	補助金
応募区分	一般
審査区分	中区分29:応用物理物性およびその関連分野
研究機関	筑波大学
研究代表者	藤ノ木享英 (梅田享英) 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (10361354)
研究分担者	牧野俊晴国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究チーム長 (20360258) 五十嵐信行名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (40771100) 磯谷順一筑波大学, 数理物質系, 研究員 (60011756) 染谷満国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (60783644) 松下雄一郎東京工業大学, 科学技術創成研究院, 特任准教授 (90762336) 原田信介国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究チーム長 (20392649)
研究期間 (年度)	2020-04-01 – 2025-03-31
審査結果の所見の概要	応募者らが開発してきた界面準位に敏感な電流検出型電子スピン共鳴(EDMR)分光と第一原理計算によって、次世代パワーエレクトロニクスのキーデバイスとなるワイドギャップ半導体MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)の性能を阻害している欠陥に関する知見を得ることを目的としている。界面の欠陥準位検出に敏感なEDMR計測と第一原理計算を組み合わせることで、デバイスの性能発揮を阻害してきた要因の解明が期待される。また、高性能デバイスの開発につなげようとする研究であり、その学術的意義は高い。