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実用化が望まれる深紫外LEDに対し、（１）光吸収の要因である金属電極や半導体コンタクト層をあえて積極的に活用することによる放射角度分布の狭域化、（２）液浸封止技術開発による放射角の拡大と活性層温度上昇の低減を図る。水銀ランプの代替を可能とする性能水準、具体的には高出力化、高効率化、高信頼化を実現する。
深紫外LEDの実用化を妨げている要素を明確に捉え、細部まで良く検討された研究計画である。深紫外LED特有の課題を解消する本質的かつ独創的な技術確立が期待される。目標が達成されれば、医療などへの応用が新たに広がる可能性があり、その波及効果は大きい。
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