OVPE法による超低抵抗・厚膜GaN結晶成長技術

2020 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 20H00352
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分30:応用物理工学およびその関連分野
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 森 勇介 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90252618)
• 研究分担者: 上殿 明良 筑波大学, 数理物質系, 教授 (20213374) ; 津坂 佳幸 兵庫県立大学, 理学研究科, 准教授 (20270473) ; 酒井 朗 大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 教授 (20314031) ; 河村 貴宏 三重大学, 工学研究科, 助教 (80581511)
• 研究期間 (年度): 2020-04-01 – 2023-03-31

審査結果の所見の概要

電子・光デバイス材料として重要な位置づけにあるGaN系窒化物半導体に対し、応募者が近年開発した酸化ガリウムを原料とする気相成長技術（OVPE法）を用いて、高品質かつ安価な厚膜結晶の成長方法を確立するものである。さらにこの材料を用いたデバイスを視野に入れた研究も計画している。
OVPE法のライバルとなるHVPE法に対する優位性も明確であり、本研究により大口径のGaN結晶が実現すれば、応用面で極めて重要な位置づけとなる。