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本研究では、GaN系大口径・高出力青緑色面発光レーザーの実現を目標としている。研究代表者らが培ってきた、導電性多層膜反射鏡や部分酸化による電流・光閉じ込めなどの独自の技術を発展させて、目標達成を目指す。
本研究目標は、窒化物半導体分野における重要課題の一つである。導電性と高反射率を両立させる導電性DBR技術の改良、GaInN活性層形成、その場反射スペクトル測定による膜厚制御エピタキシャル成長などの学術的課題が設定されており、それぞれに対して緻密な計画が練られている。目標達成により、実用化へ直結する成果が期待される。
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