研究課題
基盤研究(A)
二次元原子層デバイス用基板やワイドギャップ半導体として、更なる発展が期待される六方晶窒化ホウ素(hBN)の超高純度化を目指した研究である。本研究は、BN材料の半導体化や特性改善における最重要課題である。この課題に対して応募者らが進めてきた溶液成長法における溶媒の改良により目標達成を目指す。BNは半導体として広く応用が期待されている材料であり、良質な単結晶の作製が求められている。特に、半導体化のためにはBN結晶の高純度化に加えて、ドーパントの導入も重要な課題となる。本研究では、溶液成長法における溶媒の選定により高純度化を目指し、インターカレーションによるドーピングにより半導体化を目指す。いずれも学術的・応用的な波及効果が大きく、研究の意義が大きい。