研究課題
基盤研究(B)
シリコンベーススピントランジスタを高性能化するための重要要素「チャネル中のスピン偏極電子の伝導」と「ソースドレインにおけるスピン偏極電子の注入と検出」の学術深化と技術開拓をおこなった。これまで確立されたシリコンデバイス技術の知見を最大限に生かしつつ、スピン伝導物理に関する新たな理論を構築し、作製したデバイスのスピン伝導信号を詳細に解析した。シリコン二次元チャネルにおけるスピン伝導物理、スピン注入・検出物理を解明した。これらは、デバイス高性能化につながる有用な知見であることを定量的に示した。
スピントロニクス
次世代IoT社会の実現に極めて有用なデバイス「シリコンベーススピントランジスタ」を実用に近づけるために重要な知見を多数明らかとした。また、オリジナルな物理モデルを確立して電子スピン伝導物理の詳細を定量的に解明した。この学術の深化は、該当研究分野の進展に大きく貢献することが期待できる。
