研究成果の概要 |
Ruddesden-Popper型ニッケル酸塩Lan+1NinO3n+1結晶についてLa3Ni2O7(001)[110]//LaAlO3(100)[001]薄膜(n=2, Ni2.5+)、La4Ni3O10(001)[110]//NdGaO3(110)[001]薄膜(n=3, Ni2.67+)を創製し、(Sn, Hf)ドープおよび還元による半導体的導電性の発現と制御を見出した。LaNiO3(100)[001]//LaAlO3(100)[010]薄膜(n=∞, Ni3+)薄膜では電子ドープおよび膜厚減少に伴う金属的導電性向上、LaNiO2(100)結晶(Ni+)へのトポケミカル還元を見出した。
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