| 研究課題/領域番号 |
20H02483
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分26050:材料加工および組織制御関連
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| 研究機関 | 奈良先端科学技術大学院大学 |
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研究代表者 |
服部 賢 奈良先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 准教授 (00222216)
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| 研究分担者 |
服部 梓 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (80464238)
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| 研究期間 (年度) |
2020-04-01 – 2023-03-31
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| キーワード | 三次元立体形状試料 / 表面原子平坦化 / 側壁表面 / ファセット表面 / ウェットプロセス / 走査トンネル顕微鏡 / 電子回折 |
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| 研究成果の概要 |
原子精度で平坦なファセット表面（基板面から傾いた表面）をもつミクロスケールの立体形状のシリコン試料を、シリコン基板をリソグラフィー法で切削加工、更に真空加熱することにより作製しました。
原子平坦にする工夫の１つは、リソグラフィーの最終工程であるエッチング処理での溶液の選択で、表面の荒れを軽減することのできる特定の欠陥サイトからのエッチング反応を進行させました。もう１つの工夫は、表面原子拡散により表面凹凸を整える真空加熱の条件最適化で、通常の加熱温度よりも150～200℃ほど低温が、原子平坦表面の仕上げと立体形状維持に良いことが分かりました。
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| 自由記述の分野 |
表面科学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
立体形状をもつシリコン・デバイスの精緻な形状制御は、医療用マイクロ流路や加速度センサー等のMEMSデバイス、高密度立体トランジスタなどの最新の立体半導体デバイスなど、多くのテクノロジーを支える基盤技術の１つです。立体形状シリコンの表面は原子精度で平坦とは言えず、最先端のデバイスにおいてはパフォーマンスの劣化を招いていました。本研究の成果は、原子平坦な立体形状シリコンを創り出す技術に直結しており、デバイス・パフォーマンスの向上に寄与するものです。
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