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ガス拡散性の多孔質な酸化タングステン（WO3）光触媒を用い、プロトン交換膜を固体電解質とした光電気化学セルによるメタン変換反応を検討した。加湿したメタン気流下で波長453 nmの青色光を照射したところ、約60%の選択性でエタンが生成し、その生成速度は照射光強度の増加に伴って増加した。一方、紫外光照射下においては、二酸化炭素の生成が支配的であり、エタン生成の選択性は約30%に低下した。スピントラップ剤を含む電解液フロー型の電子スピン共鳴測定を行い、ヒドロキシルラジカル生成のファラデー効率（電流効率）を光電流密度の値から求めたところ、可視光照射下では紫外光照射下に比べてヒドロキシルラジカルが効率的に生成することが分かった。したがって、ヒドロキシルラジカルがエタン生成に寄与していることが示唆された。
水蒸気存在下におけるメタン変換反応において、Pd等を担持した酸化ガリウム（Ga2O3）光触媒がエタンおよび水素の生成に有効であった。そこでGa2O3の光触媒作用に及ぼす金属助触媒の効果について検討した。また、水分解反応に高活性を示した他の半導体光触媒（NaTaO3:La、SrTiO3:Al、及びAgTaO3等）によるメタン変換反応も調査した。助触媒間及び光触媒間における反応特性の違いを調べるため、反応中間体となるラジカル種を電子スピン共鳴法で調べた。メタン変換反応に有効な光触媒ではヒドロキシルラジカル由来のシグナルが観測されたことから、ヒドロキシルラジカルがメチルラジカル生成の活性種であり、エタン生成の中間体であると結論した。一方、水の酸化反応による酸素発生では、表面ペルオキシルラジカルが反応中間体として生成した。この活性種の生成しやすさは、それぞれの半導体光触媒のイオン化ポテンシャル（価電子帯上端及び表面準位のエネルギー値）に依存することが示唆された。
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