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本研究では、二次元半導体を対象に新たな結晶成長法を適用することで、従来では不可能であったナノスケールの二次元接合構造を実現できることを明らかとした。具体的には、有機金属化学気相成長法を用い、蒸気圧の高いMoおよびW原料を次々と切り替えて成長チャンバーに供給することで、六方晶窒化ホウ素基板上に幅がサブナノから数ナノメートルの接合幅をもつ二次元結晶を実現した。同様の手法は、接合構造を積層させた構造体にも適用可能であることも明らかとなった。また、これら新規ナノ構造に、第一原理計算および分光計測を適用し、次元性が混合した特異な構造に由来する電子状態および光学特性の解明にも成功した。
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