研究課題
基盤研究(B)
サブナノメータの極薄の金属薄膜を用いてウエハを室温で接合する技術（原子拡散接合法）を用いて，下地酸化膜を形成した光学ウエハを接合し，300℃以下の低温熱処理を施すことで接合界面の極薄金属を完全酸化させる技術を開発した．接合する光学ウエハの屈折率に合わせて下地酸化膜の種類を選択することで屈折率調整も可能である．これにより，完全透明で耐光性の優れた接合界面を有する完全無機の低温接合技術を実現した．
室温接合
原子拡散接合法は日本発の室温接合技術であり，一部は量産にも利用され始めている．今回，この接合技術を用いて下地酸化膜を形成した光学ウエハを接合することで，完全透明で耐光性の優れた接合界面を有する完全無機の低温接合技術を実現した．接合する光学ウエハの屈折率に合わせて下地酸化膜の種類を選択することで屈折率調整も可能である．この接合技術を用いることで，レーザ等の高輝度光に用いる新たな光学部品や光学デバイスの形成が可能となる．
