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ゲルマニウム-スズ（GeSn）混晶半導体を用いた赤外センシングプラットフォーム実現のため、レーザー結晶化による高品質GeSn単結晶形成を検討した。石英基板上でアモルファスGeSn層をワイヤ状に加工し、SiO2層でキャップした後、細長い楕円状に整形したレーザー光を走査して、ワイヤの端から端までmmオーダーで結晶化することに成功し、優れた結晶性および光学特性を有することを確認した。また、一度レーザー走査によりGeSnワイヤ全体を結晶化した後、再度逆方向にレーザーを走査してワイヤ中央部でレーザー照射を終了することで、高Sn濃度GeSn領域をワイヤ中央部に設けた横型ダブルヘテロ構造の作製に成功した。
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