研究課題
基盤研究(B)
現代社会において電力エネルギーの消費は増大の一途をたどっており、その輸送過程での電力変換技術を担うワイドギャップパワーデバイスが非常の重要となっている。AlN単結晶は広いバンドギャップエネルギーと大きい絶縁破壊電界を有することからSiCやGaNを超えるポテンシャルを持つ材料として期待されているが、低コストでの量産技術が確立していない。本研究課題では、低コストで量産技術となり得る手法の開発を目指し、Ni-Alを用いた新しいAlN液相成長法の開発を行う。
結晶工学
本研究課題により、Ni-Alを用いた新しいAlN単結晶の液相成長法が開発された。本研究課題での系統的な実験により、各成長条件が成長したAlN結晶に及ぼす影響が調査され、Ni-AlフラックスからのAlNの成長挙動を明らかにすることができた。これら一連の成果を元に、今後本手法の大型化を目指した研究を継続し、本手法の実用化を目指した研究を展開していく。