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多光子励起フォトルミネッセンス法を用いた次世代半導体の結晶欠陥の観察・分類・識別、三次元分布の可視化を行った。GaNとSiCでは転位の非輻射再結合中心の性質から転位を暗線として可視化でき、濃淡や三次元像から転位種を識別・分類できることが分かった。さらにSiCは貫通転位や基底面転位は積層欠陥が波長400～500 nm付近で発光面として観察されることが分かった。Ga2O3ではナノパイプを可視化でき、表面のヒロック成長との相関がみられた。ダイヤモンドは転位が発光線として観察され、ヘテロエピタキシャル成長中に複雑に屈曲しながら伝搬する挙動が明らかとなった。
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