研究課題
本研究の目的は、無機キラル化合物の結晶学的キラリティの制御可能な無機不斉結晶育成手法を確立し、キラル磁性体の新規キラル物性の観測を行うことである。結晶学的キラリティの制御が困難であることがキラル化合物における研究の最大の障害となっている。令和4年度において以下の研究成果が得られた。(a) 無機キラル化合物の不斉結晶育成手法の開発レーザー浮遊帯域炉を用いた浮遊帯域法により無機キラル化合物NbGe2の大型単結晶育成を行い、これまで確立した育成手法を活用することにより不斉単結晶の育成を目指した。得られたNbGe2単結晶を無数の小片に粉砕し、単結晶X線回折測定による絶対構造解析により結晶学的キラリティを評価した。全ての小片における結晶構造キラリティは同一であり、得られた単結晶の結晶学的キラリティは単一である。よって、NbGe2の不斉単結晶育成に成功したと考えられる。(b) キラル物性の観測令和3年度に育成に成功したキラル無機化合物NbSi2の右手系及び左手系単結晶のCISS効果を電気計測測定を用いて検出した。得られたI-V特性の傾きは結晶学的キラリティによって正負が異なり、CISS効果によるスピン偏極方向は結晶キラリティの左右の違いに伴って反転することを明らかとした。また、キラルな結晶構造を持つα-quartzについて、熱伝導率の測定実験と適合するように緩和時間を決定し、カイラルフォノンの角運動量生成に関する熱輸送係数の温度依存性を解明した。
令和4年度が最終年度であるため、記入しない。
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すべて 雑誌論文 (10件) (うち国際共著 1件、 査読あり 10件) 学会発表 (9件) (うち国際学会 1件、 招待講演 1件)
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