無欠陥ナノ周期構造によるフォノン場制御を用いた高移動度半導体素子

2020 年度 研究概要(採択時)

• 研究課題/領域番号: 20H05649
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 大区分C
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 寒川 誠二 東北大学, 流体科学研究所, 特任教授(客員) (30323108)
• 研究分担者: 大堀 大介 東北大学, 流体科学研究所, 助教 (00839293) ; 福山 敦彦 宮崎大学, 工学部, 教授 (10264368) ; 野村 政宏 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (10466857) ; 太田 裕之 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長 (70356640) ; 遠藤 和彦 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長 (60392594)
• 研究期間 (年度): 2020-08-31 – 2025-03-31