| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
3: やや遅れている
理由
本研究は3回対称性を有するトリスキレート錯体を原料として二次元ハニカムシート構造を合成し、その新奇量子物性の開拓を行う研究であるが。研究の段階としては大きく分けて以下のようになる。1)トリスキレート錯体に用いる配位子の合成、および配位子の電気化学的物性の調査 2)トリスキレート錯体の合成、および錯体の電気化学的物性の調査 3)二次元ハニカムシート構造の合成 4)ハニカムシート構造の物性探索
現在までに2,3-トリフェニレンジオールやフェナントレンキノンなど、現在までに3つの配位子設計を行い、それぞれにおいて中心金属を第一遷移金属としたトリスキレート錯体の合成、およびその電気化学特性の調査を行った(研究段階2)まで)。その結果それぞれの錯体で酸化還元挙動が見られ、二次元ハニカムシート構造の原料として足り得ることを確認した。よって化学還元法や電解還元法により部分還元状態のハニカム構造構築を目指したが、目的のシート構造を有する結晶構造を得ることができなかった。理由としては結晶構造でシート構造を有するためには配位子間の軌道の重なりによる安定化が小さく、目的の結晶構造より安定な結晶構造が優先されて形成した、というものが考えられる。よって現在はよりπ共役平面が広い配位子を設計し、トリスキレート錯体を合成することを目的とし、研究を行っている。
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