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本年度はGaInNAs活性層導入に着目した．GaInNAsは光ファイバー通信用光源として使用できる可能性がある．シェル層への導入も行ったが，特にコアへの導入について検討した．具体的に得られた結果は以下の通りである．
①GaAs/GaInNAs/GaAsコア-シェルナノワイヤの作製を行った．シェル層ではGaInNAsが導入されたことによる長波長化が確認でき，その発光波長は1100～1200 nmであった．また，GaInAs層の成長レートの低減により高品質でIn，N組成の高いGaInNAsシェルが作製できることを見出した．②コアへのGaInNAs活性層導入に着目し、その成長条件導出を試みた．これまでにコアへ活性層を導入することで電磁界強度分布が最適化され、理想的には発光強度の強いナノワイヤレーザが作製できると考えられる．特に成長速度やV属As圧の影響について各種の条件を検討したが，ナノワイヤが成長しないとういう問題点も発生し，コア軸方向のヘテロ成長は困難であった．③ Si基板上SiO2膜に微細加工でナノスケール開口部を設けた加工基板を使用した．コア成長時に低レートで表面未処理のSi基板上ではナノワイヤが成長されず、またナノワイヤが成長できる条件下ではワイヤ形状に乱れが生じた．加工基板を使用することで，これまでナノワイヤが成長されなかった成長時供給Asが高い条件下でもナノワイヤ成長が行えること，ワイヤの形状が整っていることを確認し，高品質ナノワイヤ成長へ有望な可能性を見出した．また，ナノスケール開口部の大きさと間隔によるナノワイヤ成長の影響について知見が得られた．
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