研究課題
基盤研究(C)
反強磁性と超伝導が共存するCePt3Siについて、超伝導転移の際に出現する自発磁化は、圧力印加により反強磁性が消失しても出現することが観測され、反強磁性が原因ではないことが確認できた。また、ジョセフソン効果の磁場依存性の異常が、接合面積を小さくすると現れないことが観測されたが、この結果は自発磁化が表面、双晶界面等で局所的に発生していることと矛盾しない。一方、重い電子系超伝導体UPt3について、c軸に垂直な面内の磁場侵入長を圧力下で測定した結果、常に低温で温度に比例した温度変化が観測されるが、反強磁性が消失する臨界圧力以上ではその温度係数が増大し、超伝導相の変化が示唆された。
低温物理学
最近多数発見されている、非従来型超伝導を示す物質群の超伝導の特異性を研究するための様々な手段のうち、磁場侵入長、ジョセフソン効果、自発磁化の測定を圧力下で行う技術を確立することができた。その応用として、通常は超伝導と磁性は競合するにもかかわらず、反強磁性と共存している非従来型超伝導体(CePt3Si, UPt3)について、圧力を印加して反強磁性を消失させることで、非従来型超伝導に対する磁性の影響についての知見が得られた。
