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スピン軌道相互作用の強い半導体などにおいて、円偏光照射によってスピン偏極が起こることを示し、電子系のバンド構造の効果や、スピン偏極の光電場強度、振動数依存性を、数値計算およびフロケ理論を用いて明らかにした。特に、ミクロなモデルに基づいた計算によって、現象論や単純化された過去の理論結果が統一的に理解され、このスピン偏極がよく知られた逆ファラデー効果として解釈できることを示した。本研究では、シフト電流そのものの計算までには至らなかったが、得られたスピン偏極はフェルミ面近傍で生じることから、スピンに依存した電流が発生することが予想され、この点は今後の課題となった。
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