| 研究成果の概要 |
タングステン中の原子空孔に複数個の侵入型不純物原子（X=H,C,N,O）が結合した欠陥複合体（VXk）の陽電子寿命の変化を第一原理計算を用いて調べたところ、VH2、VC1、VN1、VO1複合体いずれもが約170 psの陽電子寿命を示すことがわかった。そこで各種欠陥複合体における消滅ガンマ線ドップラー広がりスペクトルについても計算したところ、いずれの欠陥複合体のスペクトルでも電子運動量16 mrad付近に肩が現れ、欠陥種を区別することは困難であることが示された。これらの欠陥複合体の種類を同定するためには欠陥複合体のアニール挙動観察と、空孔-不純物原子間の結合エネルギー計算の併用が必要である。
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