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近年，SiCやGaNなどのパワーデバイスの性能や寿命が，製造過程や実働環境下で発生するひずみや材料中の欠陥に影響を受けるため，デバイススケールから問題領域を抽出し，ひずみや欠陥を定量的に評価することが重要となっている．本研究では，評価技術として顕微ラマン分光法が有力な候補となる可能性があることを示した．また，2次元構造化照明では９回の測定で高分解能な画像にするが，圧縮センシングを用いることで１回の測定で，ラマンやひずみの２次元イメージングを再構築ができることを示した点は高速化の点で意義がある．また，深さ方向への間引き走査で、３次元イメージングが可能であることを示した点も意義があると思われる．
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