| 研究課題/領域番号 |
20K04504
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| 研究機関 | 千葉工業大学 |
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研究代表者 |
安藤 毅 千葉工業大学, 工学部, 准教授 (00712431)
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| 研究期間 (年度) |
2020-04-01 – 2023-03-31
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| キーワード | 酸化物半導体 / ガスセンサ |
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| 研究実績の概要 |
本研究では，薄膜結晶状の酸化物半導体ガスセンサを用い，VOCに対し1 ppbのガス感度を達成することを目的とする。センサ膜としては，サファイア基板上にスパッタリング法を用いてエピタキシャル成長させたSnO2薄膜結晶を採用する。
初年度実績として真空装置の設計を行い，高品質なセンサ膜を得るための酸素欠損補償を行う成膜を実現できる装置を作成した。
それに続き本年度では，この装置を使い酸素補償条件下で，実験を行う予定であったが，よりよい成果を得るために実験計画の順序を翌年度と入れ替え，先立ってセンサに適した半導体の電気的特性を得るための，膜厚依存性の検討を行った。
その結果，膜厚と電気的特性，センサ感度の関係が明らかになり，感度向上を行うための指針が得られた。翌年度は，これをもとに酸素補償条件下での成膜とセンサ感度の検討を行う予定である。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
初年度は，本装置作成の立ち上げの遅れがあったが，今年度研究計画の予定を翌年度と入れ替え，また，その変更が功を奏し，目的の膜厚依存性の検討が順調に進行した。並行して装置運用のための検討を行っており，おおむね順調といえる。
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| 今後の研究の推進方策 |
初年度，本年度で得られた成果と，並行して進めた装置運用の検討をもとに，当初の最終目的であった，酸素補償下での成膜とセンサ感度の検討を行う予定である。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
本年度購入予定だった，RF電源について半導体不足を端緒とする納期未定の状況により未使用額が生じた。未使用額は，次年度RF電源の購入に充てる。
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