水素イオン吸着機構に影響を与えず効率よく妨害イオン抑制用電圧を印可できる、ストライプゲート電極を付加した新たな半導体型pHセンサの製作を実施した。初年度は、Poly-Si材料で新構造のストライプゲート電極を形成し、pHセンサを完成させた。2年目は、製作したセンサの最適動作条件を求め、マイコンを用いた計測の自動化を実施した。最終年度は、製作した回路を使った連続計測を行い、酸性、中性およびアルカリ性のいずれの溶液においても同様なドリフト抑制効果を得られることを確認した。従来のセンサと比較してドリフト量を0.013倍に抑制でき、連続計測時間を104.5倍に延長することができた。
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