|
トンネル接合素子に向けて、様々な反強磁性材料を研究し、磁気抵抗輸送に関連する多岐にわたる結果を得た。これにより物理学の理解が深まり、高密度なメモリデバイスの実現が潜在的に可能となる。特に、反強磁性体界面における現象である界面軌道共鳴トンネルやトンネル異方性磁気抵抗などに着目し、高いトンネル磁気抵抗やトンネル異方性磁気抵抗を実現した。これらの研究成果は、スピントロニクス分野に限らず、材料科学や物理学など幅広い分野に影響を与え、学術的な価値が高い。また、これらの成果は、低消費電力動作や高速・大容量情報処理を実現するためのスピントロニクスデバイスの基盤技術として、社会的にも重要な意義を持っている。
|
