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近年、省エネルギーの観点から、パワーデバイスの低損失化が求められている。現在、多くのパワーデバイスとしてSiからなる素子が使われているが、素子での電力損失が大きい。一方、GaN等の半導体は、材料の絶縁破壊電圧が高いために、電力損失の低減が期待されている。現状では、GaN素子は、酸化物／半導体界面の知見が十分に得られていないために、理論的に期待される特性が得られていない。そこで、酸化物／半導体界面を評価するオリジナルな手法として、水素を用いた特性評価法を開発した。さらに、作製した素子に対して酸化物／半導体界面の電気的特性評価を行った。
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