硼素イオン注入による絶縁性GaN結晶層を用いた超低損失パワー素子の高破壊耐量化

研究成果発表報告書

• 研究課題/領域番号: 20K04590
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 三浦 喜直 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (90828287)
• 研究分担者: 沈 旭強 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 上級主任研究員 (50272381) ; 中島 昭 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (60450657)
• 研究期間 (年度): 2020-04-01 – 2023-03-31

研究成果

• [産業財産権] 半導体装置および半導体装置の製造方法 (2023)
  • 発明者名: 三浦喜直、中島昭、沈旭強、平井悠久、原田信介
  • 権利者名: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2023-515445