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有機金属気相成長法によるSi基板上のエピタキシャルCdTe成長層を用いたヘテロ接合ダイオード型検出器の高性能化を目的とし、検出器動作時における暗電流の低減と成長層の高品質化に関する検討を行った。p-CdTe厚膜層/n-CdTe低抵抗バッファ層/n+-Si 構造の検出器を作製し、電流－電圧特性および放射線検出特性の評価を行った。これら評価により検出器の暗電流とCdTe成長層の転位密度の関連を明らかにするとともに、成長層の転位密度低減方法及び高品質厚膜成長層の成長技術を確立した。また、本方法による高品質の成長層を用いた検出器の検出特性を向上することを示した。
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