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2022 年度 研究成果報告書

光波長・空間多重伝送向け表面ファイバ実装型光カプラの革新的製造技術に関する研究

研究課題

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研究課題/領域番号 20K04634
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
審査区分 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
研究機関国立研究開発法人産業技術総合研究所

研究代表者

吉田 知也  国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (80462844)

研究期間 (年度) 2020-04-01 – 2023-03-31
キーワードシリコンフォトニクス / 光集積回路 / イオン注入 / MEMS
研究成果の概要

本研究では、モードサイズ10μmのエレファントカプラを実現することを目的としエレファントカプラ作製のコア技術であるIIB技術の革新を目指した。これまでのIIBでは先端テーパー部を直線に保ったまま立体湾曲部を形成することが難しく、モードサイズ10μmのエレファントカプラを実現することが出来なかったのだが、本研究では新たな観点として、イオン注入角度と湾曲効果の関係を明らかにし、その効果を利用することで、IIB技術の加工自由度が格段に上がり、所望のエレファントカプラを形成することに使えることを見出した。

自由記述の分野

シリコンフォトニクス

研究成果の学術的意義や社会的意義

本研究で得られた成果は、エレファントカプラを一般的な光ファイバに対応可能とする革新的な基盤技術となる。それにより、波長分割多重や空間分割多重への応用の障壁が格段に下がり、ひいては、光通信のデータ伝送レートを飛躍的に向上させるための基盤技術になることが期待される。

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公開日: 2024-01-30  

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