| 研究課題/領域番号 |
20K05257
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分28020:ナノ構造物理関連
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| 研究機関 | 愛知工業大学 |
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研究代表者 |
竹内 和歌奈 愛知工業大学, 工学部, 准教授 (90569386)
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| 研究分担者 |
五島 敬史郎 愛知工業大学, 工学部, 教授 (00550146)
岩田 博之 愛知工業大学, 工学部, 教授 (20261034)
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| 研究期間 (年度) |
2020-04-01 – 2024-03-31
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| キーワード | SiC / BN / SiC/BN積層 / CVD / SiCドット |
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| 研究成果の概要 |
SiCの原料はビニルシラン、BN原料はTDMABとNH3を用いて、Si基板上にSiC/BN積層構造をCat-CVDを用いて作製した。BNの構造はh-BN構造が支配的である。ビニルシランの流量が十分な時にはXRDの結果から、10層積層構造において、約3 nmのSiCの結晶粒が観測された。一方で、ビニルシランの流量が少量の時にはSiCは顕著に観測されないが、AFMから表面形状、FT-IRからh-BNのピークに変化がみられた。PL測定結果から、ビニルシランを導入することで、380 nm付近、680 nm付近の発光強度が増加した。この積層構造作製手法はドットの形成やドーピングとして有用である。
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| 自由記述の分野 |
半導体
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究ではSiCの原料としてはビニルシラン、BN原料としてはTDMABとNH3を用いて、Si基板上にSiC/BN積層構造をCat-CVDを用いてSiC量子ドット形成を試みた。この研究は新規なボトムアップによる量子ドット形成作製方法である。この手法を用いて、原料ガスの流量依存、積層数依存性などを調べることで、BN層に挟まれたSiCの状態や積層構造の発光特性について新しい知見を得ることができた。このことは学術的にも意義がある。また、様々なところで量子ドット応用が期待されている現在、量子ドット形成方法のバリエーションを増やすことは社会的にも意義がある。
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