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本研究では、直接遷移型と間接遷移型半導体材料における光誘起ブリーチング現象を実験的に調査し、そのメカニズムを解明した。高密度光励起キャリアが半導体の伝導帯の空準位を一時的に占有することで、本来ほぼ不透明な波長領域に光が通過できる。この光ブリーチング効果は電子温度を考慮したフェルミーディラック分布により説明できる。また、直接遷移型InNエピタキシャル薄膜より、間接遷移型Geエピタキシャル薄膜は、広帯域で光ブリーチングができ、その持続時間も長くなる。これらの結果に基づいて、光誘起ブリーチング現象を活用できれば、通信波長帯においてより低い励起強度で超高速ブリーチングデバイスの実現が可能となる。
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